4月13日，長江存儲在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
據悉，長江存儲首 發的128層QLC閃存創下速度、密度、容量三個全球 第 一。長江存儲表示，X2-6070是業內首 款128層QLC規格的3D NAND閃存，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
此次同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。
據了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。
據悉，兩款產品均采用長存自研Xtacking 2.0架構，外圍電路和存儲單元可堆疊，帶來極 佳的擴展性。在性能方面，長存透露，兩款產品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能，3D QLC單顆容量高達1.33Tb，是上一代64層的5.33倍。
長江存儲表示，公司用短短3年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越。
另據財聯社報道，預計2020年底-2021年中旬陸續量產，目標達到月產能10萬片；供應鏈消息透露，這款閃存已送樣。
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